（一）瓷介电容器

瓷介电容器也称陶瓷电容器，它用陶瓷材料作为介质，在陶瓷的表面涂覆一层金属（通常用银）薄膜，再经高温烧结后作为电极。

1．瓷介电容器的分类  瓷介电容器有多种分类方法。

按介质材料可分为高介电常数介质材料电容器和低介电常数介质材料电容器。

按性能等级可分为I类电介质（NPO、CG）瓷介电容器、II类电介质（X7R、2X1）瓷介电容器和III类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。

按外形结构可分为管形、圆片形、筒形、叠片形、矩形、珠状、异形等瓷介电容器，如图3-19所示。

按频率特性可分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器。

按工作电压可分为高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。

2．I类瓷瓷介电容器  I类瓷介电容器采用具有温度补偿特性的复合型陶瓷材料，具有温度系数小、稳定性高（其电气性能不随温度、电压、时间的变化而改变）、损耗低、耐压高等优点，主要应用于高频、特高频、甚高频等电路中，最大容量不超过1000pF。

常用的I类瓷介电容器有CC1系列圆片形高频瓷介电容器、CC2系列管形瓷介电容器、CC81A系列圆片形高频高压瓷介电容器、CC11系列无引线高频瓷介电容器和CCG系列高频高功率瓷介电容器。

3．II类、III类瓷介电容器II类、III类瓷介电容器也称铁电陶瓷电容器，其特点是材料的介电系数高，电容器的容量大（最大容量可达47000pF）、体积小，损耗和绝缘性能较I类瓷介电容器差，广泛应用于各种中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。

常用的II类、III类瓷介电容器有CT1系列圆低频瓷介电容器、CT2管形瓷介电容器、CT3（CCTD、CCTF）叠片形低频瓷介电容器。

4．独石电容器  独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器，它具有性能稳定可靠、耐高温、耐潮湿、容量大（容量范围为10pF~1μF）漏电流小等优点，其缺点是工作电压低（耐压值低于是00V，通常为63V）。

独石电容器广泛应用于各种电子产品中作谐振、旁路、耦合、滤波等电容器使用。

常用的独石电容器有CT4（低频）、CC4（高频）、CT42（低频）、CC42（高频）等系列。

（二）云母电容器和玻璃釉电容器

1．云母电容器  云母电容器是早期使用的高性能电容器，它采用云母作为介质，在云母表面上喷一层金属膜（通常为银）或用金属箔作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或金属外壳、陶瓷外壳、塑料外壳）内构成的。

云母电容器具有稳定性好、分布电感小、精度高、损耗小、绝缘电阻大、温度特性及频率特性好等优点，其窬量范围为5~5100pF，工作电压为50V~7kV，一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等电容器使用。

常见的云母电容器有CY系列、CYZ系列、CYRX系列等。图3-20是几种云母电容器的外形。

2．玻璃釉电容器  玻璃釉电容器是用玻璃釉粉压制的薄片作为介质的，电极为金属膜。它具有介质材料介电系数大、体积小、损耗低、稳定性好、漏电流小、电感量低、温度特性好等优点，其性能可以与云母电容器和瓷介电容器相提并论，主要应用于高频电路中。

玻璃釉电容器和云母电容器均不是目前的主流产品，国内生产厂家较少。常见的玻璃釉电容器有CI2等系列。

图3-21是玻璃釉电容器的外形。