1．反向击穿电流的检测:普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，发射极E接红表笔；PNP管的集电极C接红表笔，发射极E接黑表笔。

    正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω（用R×100档测，电阻值大于2kΩ），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ（用R×10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ（用R×10k档测），实测值一般为500kΩ以上。

    若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；若测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。

   也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。

    2．放大能力的检测:晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。

    若万用表无hFE档，则也可使用万用表的R×1k档来估测晶体管放大能力。测量PNP管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极E，红表笔接晶体管的集电极C，再在晶体管的集电结（B、C极之间）上并接1只电阻（硅管为100kΩ锗管为20 kΩ），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。

    测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。

    也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。

    3．反向击穿电压的检测:晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V（BR）测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的V（BR）键，再从表中读出反向击穿电压值。

    对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连（PNP管的E极接A点，C极接B点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。